Pohorelec, O., & Gregušová, D. (2023). Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics: Dátum obhajoby 23.8.2023. STU v Bratislave FEI.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Citácia podle Chicago (17th ed.)
Pohorelec, Ondrej, a Dagmar Gregušová. Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics: Dátum Obhajoby 23.8.2023. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 2023.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Citácia podľa MLA (8th ed.)
Pohorelec, Ondrej, a Dagmar Gregušová. Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics: Dátum Obhajoby 23.8.2023. STU v Bratislave FEI, 2023.
Kopírovanie bolo úspešné
Kopírovanie sa nepodarilo
Upozornenie: Tieto citáce sú generované automaticky. Nemusia byť úplne správne podľa citačných pravidiel..