Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics : dátum obhajoby 23.8.2023

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Dettagli Bibliografici
Autore principale: Pohorelec, Ondrej (Autore)
Altri autori: Gregušová, Dagmar (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
inglese
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2023
Soggetti:
Accesso online:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildOUDF8&sid=8BA438E6D9CA2A91CF2CAAA27666&seo=CRZP-detail-kniha
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