Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics : dátum obhajoby 23.8.2023

Gespeichert in:
1. Verfasser: Pohorelec, Ondrej (Verfasst von)
Weitere Verfasser: Gregušová, Dagmar (Betreuung Doktorarbeit)
Format: Manuskript Buch
Sprache:Slowakisch
Englisch
Veröffentlicht: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2023
Schlagworte:
normally-off tranzistor
Mg dopovanie
nestability VTH
InAlN
2DHG
normally-off transistor
Mg doping
VTH instabilities
Online-Zugang:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildOUDF8&sid=8BA438E6D9CA2A91CF2CAAA27666&seo=CRZP-detail-kniha
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