Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics : dátum obhajoby 23.8.2023
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco inglese |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2023
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildOUDF8&sid=8BA438E6D9CA2A91CF2CAAA27666&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics :
- Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Návrh zdroja na budenie GaN tranzistorov
- Použitie GaN tranzistorov v 60W DC/DC meniči pre železničné aplikácie
- Štúdium mikroštruktúry vybraných zliatin zo systému Zn-Mg-Sc
- Protinádorové efekty orlistatu
- Návrh technológie zvárania súčiastky zloženej z kombinácie Al zliatin