Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics : dátum obhajoby 23.8.2023
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch Englisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2023
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildOUDF8&sid=8BA438E6D9CA2A91CF2CAAA27666&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics :
- Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Návrh zdroja na budenie GaN tranzistorov
- Použitie GaN tranzistorov v 60W DC/DC meniči pre železničné aplikácie
- Štúdium mikroštruktúry vybraných zliatin zo systému Zn-Mg-Sc
- Protinádorové efekty orlistatu
- Návrh technológie zvárania súčiastky zloženej z kombinácie Al zliatin