Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics : dátum obhajoby 23.8.2023

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Détails bibliographiques
Auteur principal: Pohorelec, Ondrej (Auteur)
Autres auteurs: Gregušová, Dagmar (Directeur de thèse)
Format: Manuscrit Livre
Langue:slovaque
anglais
Publié: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2023
Sujets:
Accès en ligne:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildOUDF8&sid=8BA438E6D9CA2A91CF2CAAA27666&seo=CRZP-detail-kniha
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