Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics : dátum obhajoby 23.8.2023
Guardado en:
| Autor principal: | |
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| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco inglés |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2023
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildOUDF8&sid=8BA438E6D9CA2A91CF2CAAA27666&seo=CRZP-detail-kniha |
| Etiquetas: |
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| Notas: | Len v elektronickej podobe |
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| Descripción Física: | 133 s., Autoref. 2023, 52 s. |