Príprava a charakterizácia Ga2O3 vrstiev pre optoelektronické a výkonové aplikácie
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
2019
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=135338 |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stuzp72228 | ||
| 003 | SK-STU | ||
| 005 | 20190717135609.4 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Sobota, Michal |u 033000 |4 aut |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 86354 |U E030 |Y 549 |7 86354 | |
| 242 | 0 | 1 | |a Preparation and Characterisation of Ga2O3 for Optoelectronic and Power Applications |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Príprava a charakterizácia Ga2O3 vrstiev pre optoelektronické a výkonové aplikácie |
| 260 | |c 2019 | ||
| 300 | |a 45 s. | ||
| 650 | 4 | |a zakázané pásmo |2 slo | |
| 650 | 4 | |a rezistivita |2 slo | |
| 650 | 4 | |a b-Ga2O3 |2 slo | |
| 650 | 4 | |a LI-MOCVD |2 slo | |
| 650 | 4 | |a b-Ga2O3 |2 eng | |
| 650 | 4 | |a band gap |2 eng | |
| 650 | 4 | |a rezistivity |2 eng | |
| 650 | 4 | |a LI-MOCVD |2 eng | |
| 700 | 1 | |a Mikolášek, Miroslav |u 033000 |k Z2 |4 ths |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 27049 |U E030 |Y 549 |7 A000027049 | |
| 856 | 4 | |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=135338 | |
| 996 | |b 284ER02848 |c E*Bc- 2848 |l EE33 |s P |a 0 |w stuzp72228_0001 | ||