Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2020
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=69B07E5EF4F2B22F098DB6C7FD1B&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stuzp76068 | ||
| 003 | SK-STU | ||
| 005 | 20200902113524.1 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Matuš, Matej |u 033000 |4 aut |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 92528 |U E030 |Y 549 |7 92528 | |
| 242 | 0 | 1 | |a Investigation of Defect in Modern Semiconductor Materials for 5G network |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť |
| 260 | |c Bratislava : |c STU v Bratislave FEI, |c 2020 | ||
| 300 | |a 68 s. | ||
| 650 | 4 | |a InAlGaN/GaN HEMT štruktúra |2 slo | |
| 650 | 4 | |a DLTFS |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Hlboké energetické hladiny |2 slo | |
| 650 | 4 | |a FAT FET |2 slo | |
| 650 | 4 | |a GaN |2 slo | |
| 650 | 4 | |a GaN |2 eng | |
| 650 | 4 | |a InAlGaN/GaN HEMT structure |2 eng | |
| 650 | 4 | |a DLTFS |2 eng | |
| 650 | 4 | |a deep energy level |2 eng | |
| 650 | 4 | |a FAT FET |2 eng | |
| 700 | 1 | |a Stuchlíková, Ľubica |u 033000 |k Z1 |4 ths |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 1997 |U E030 |Y 549 |7 A000001997 | |
| 856 | 4 | |u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=69B07E5EF4F2B22F098DB6C7FD1B&seo=CRZP-detail-kniha | |