Príprava a charakterizácia NiO/Ga2O3 heteroštruktúr pre realizáciu UV fotodiód
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2021
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=1D055279E2D1258CB57A2A1E7F1A&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Príprava a charakterizácia NiO/Ga2O3 heteroštruktúr pre realizáciu UV fotodiód
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
- Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory
- Mikrosenzor plynu na báze tenkých kovových oxidov
- Mezoporézne perovskitové solárne články s uhlíkovou zadnou elektródou
- Charakterizácia viacprvkových zliatin na báze Ga-Co-Cu-Ni-Fe s rôznym pomerom atómov
- Sledovanie emisných a záchytných procesov v InGaAsN/GaAs heteroštruktúrach