Vyšetrovanie epitaxných vrstiev Ga2O3 pomocou ramanovskej spektroskopie

Na minha lista:
Detalhes bibliográficos
Autor principal: Hrubišák, Fedor (Author)
Outros Autores: Kováč, Jaroslav (Thesis advisor)
Formato: Manuscrito Livro
Idioma:eslovaco
inglês
Publicado em: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2021
Assuntos:
Acesso em linha:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=2DF2AC71C78DA39E9FFFB0873752&seo=CRZP-detail-kniha
Tags: Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp81888
003 SK-STU
005 20211118124952.5
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a eng 
044 |a xo 
100 1 |a Hrubišák, Fedor  |u 033000  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 98768  |U E030  |Y 549  |7 98768 
242 0 1 |a Vyšetrovanie epitaxných vrstiev Ga2O3 pomocou ramanovskej spektroskopie  |y slo 
245 1 0 |a Vyšetrovanie epitaxných vrstiev Ga2O3 pomocou ramanovskej spektroskopie 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2021 
300 |a 58 s. 
650 4 |a polovodiče s ultraširokým zakázaným pásmom  |2 slo 
650 4 |a depolarizačný pomer  |2 slo 
650 4 |a Ga2O3  |2 slo 
650 4 |a Ramanovská spetroskopia  |2 slo 
650 4 |a Ramanovská termografia  |2 slo 
650 4 |a Raman thermography  |2 eng 
650 4 |a depolarization ratio  |2 eng 
650 4 |a Ga2O3  |2 eng 
650 4 |a ultra-wide bandgap semiconductors  |2 eng 
650 4 |a Raman spectroscopy  |2 eng 
700 1 |a Kováč, Jaroslav  |u 033000  |k Z1  |4 ths  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 42526  |U E030  |Y 549  |7 A000042526 
856 4 |u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=2DF2AC71C78DA39E9FFFB0873752&seo=CRZP-detail-kniha