Simulácia a modelovanie vlastností výkonového MOS tranzistora pomocou rýchlej 3D elektrotepelnej simulácie

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Bošković, Lazar (Verfasst von)
Weitere Verfasser:	Chvála, Aleš (Betreuung Doktorarbeit)
Format:	Manuskript Buch
Sprache:	Slowakisch
Veröffentlicht:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2023
Schlagworte:	MOSFET 3D FEM model COMSOL Multyphysics COMSOL Multiphysics
Online-Zugang:	https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildI12OHK&sid=D2CDA85DA56256F2733FEA93BC1D&seo=CRZP-detail-kniha
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stuzp90014
003	SK-STU
005	20250328124249.0
007	ta
008	150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040			\|a STU \|b slo
041	0		\|a slo
044			\|a xo
100	1		\|a Bošković, Lazar \|u 033000 \|4 aut \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 88277 \|U E030 \|Y 549 \|7 88277
242	0	1	\|a Simulation and Modeling of Power MOS Transistor Properties Supported by Fast 3D Electrothermal Simulation \|y eng
245	1	0	\|a Simulácia a modelovanie vlastností výkonového MOS tranzistora pomocou rýchlej 3D elektrotepelnej simulácie
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave FEI, \|c 2023
300			\|a 56 s.
650		4	\|a MOSFET \|2 slo
650		4	\|a 3D FEM model \|2 slo
650		4	\|a COMSOL Multyphysics \|2 slo
650		4	\|a MOSFET \|2 eng
650		4	\|a 3D FEM model \|2 eng
650		4	\|a COMSOL Multiphysics \|2 eng
700	1		\|a Chvála, Aleš \|u 033000 \|k Z1 \|4 ths \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 10315 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000010315
856	4		\|u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildI12OHK&sid=D2CDA85DA56256F2733FEA93BC1D&seo=CRZP-detail-kniha