Simulácia a modelovanie elektrických vlastností MOS tranzistora zabudovaného do DPS
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2023
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildARV5C&sid=08878EB2E7E37CD0989373C0752B&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stuzp92688 | ||
| 003 | SK-STU | ||
| 005 | 20241114134245.0 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Suhaj, Patrik |u 033000 |4 aut |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 111079 |U E030 |Y 549 |7 111079 | |
| 242 | 0 | 1 | |a Simulation and modeling of electrical properties of MOS transistor embedded in a PCB |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Simulácia a modelovanie elektrických vlastností MOS tranzistora zabudovaného do DPS |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2023 | ||
| 300 | |a 62 s. | ||
| 650 | 4 | |a Výkonový MOS tranzistor |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Simulácie |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Technológia zabudovania do DPS |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Technológia povrchovej montáže na DPS |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Power MOS transistor |2 eng | |
| 650 | 4 | |a Embedded technology into PCB |2 eng | |
| 650 | 4 | |a Simulations |2 eng | |
| 650 | 4 | |a Surface-mount technology on PCB |2 eng | |
| 700 | 1 | |a Chvála, Aleš |u 033000 |k Z1 |4 ths |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 10315 |U E030 |Y 549 |7 A000010315 | |
| 856 | 4 | |u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildARV5C&sid=08878EB2E7E37CD0989373C0752B&seo=CRZP-detail-kniha | |