Charakterizácia GaN bufferových vrstiev rastených na SiC pomocou MOCVD pri rôznych tlakoch

Saved in:

Bibliographic Details
Main Author:	Mazúr, Mário (Author)
Other Authors:	Chvála, Aleš (Thesis advisor)
Format:	Manuscript Book
Language:	Slovak
Published:	2025
Subjects:	buffer layer HEMT SiC GaN buffer vrstva
Online Access:	http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=184537
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stuzp99095
003	SK-STU
005	20250614210633.5
007	ta
008	150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040			\|a STU \|b slo
041	0		\|a slo
100	1		\|a Mazúr, Mário \|u 033000 \|4 aut \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 112147 \|U E030 \|Y 549 \|7 112147
242	0	1	\|a Characterisation of GaN Buffer Layers Grown on SiC by MOCVD at Various Pressures \|y eng
245	1	0	\|a Charakterizácia GaN bufferových vrstiev rastených na SiC pomocou MOCVD pri rôznych tlakoch
260			\|c 2025
650		4	\|a buffer layer \|2 eng
650		4	\|a HEMT \|2 eng
650		4	\|a SiC \|2 eng
650		4	\|a GaN \|2 eng
650		4	\|a buffer vrstva \|2 slo
650		4	\|a HEMT \|2 slo
650		4	\|a SiC \|2 slo
650		4	\|a GaN \|2 slo
700	1		\|a Chvála, Aleš \|u 033000 \|k Z1 \|4 ths \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 10315 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000010315
856	4		\|u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=184537