-
Príspevok k výpočtu oteplenia tenkej vrstvy viacvrstvej štruktúry oteplovanej elektrónovým zväzkom : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 06.01.1982 /
-
Moddeling, design and preparation of the quantum semiconductor heterostructures = Modelovanie, návrh a realizácia kvantových polovodičových heteroštruktúr : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 11.11.1993 : Projekt III-7-2/03,1/990 324/91-93,JEP 1565-91 /
-
Vysokofrekvenčné naprašovanie viaczložkových materiálov, najmä zliatin hliníka vhodných pre metalizáciu integrovaných obvodov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 13.11.1980 /
-
Nitridové vrstvy pre Schottkyho kontakty na GaAs : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 20.10.1994 /
-
Atómová sonda iónového mikroskopu : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 19.04.1974 /
-
Problémy prípravy elektroluminiscenčných vrstiev ZnS, ich niektoré vlastnosti a aplikácie : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.03.1974 /
-
Augerova elektrónová spektroskopia tenkovrstvových štruktúr : Kand.diz.práca : Obh. 12.06.1985 : Projekt III-4-3/4 /
-
Príprava SiO2 vrstiev v mikrovlnnom kyslíkovom výboji a ich vlastnosti : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.01.1976 /
-
Výskum MOS štruktúr fotoelektrickými metódami : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.01.1982 : Projekt III-4-3/1 /
-
Príspevok k metódam kvantitatívnej elektrónovej spektroskopie tuhých látok : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.01.1982 : Projekt III-4-3/4III-6-1/08 /
-
Výskum podmienok prípravy a vlastností Schottkyho štruktúr so silicidom platiny : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 19.02.1980 /
-
Modelovanie elektronickej štruktúry MESFET tranzistora a meranie jeho základných vlastností : Dipl.práca
-
MQW detektory infračerveného žiarenia = MQW infrared photodetector : Dipl.práca
-
Výskum povrchov, pevných látok pomocou AES, DPE a HSSI : Etapová správa o riešení čiastkovej úlohy III-4-3/4 štátného plánu základného výskumu
-
Elektrónová a iónová spektroskopia mikroelektronických štruktúr : Priebežná výskumná správa úlohy III-6-1/08
-
Výskum katódového naprašovania, iónového plátovanie a iónového leptania vrstových štruktúr. Časť A: Výskum VF naprašovania kovových vrstiev : Etapová správa o riešení čiastkovej úlohy III-4-3/1 štátného plánu základného výskumu
-
Mikroelektronické technológie a štruktúry, časť II KE 09 Technologické postupy realizácie štruktúr na báze GaAs : Záverečná výskumná správa III-7-2/01
-
Problémy prípravy elektroluminiscenčných vrstiev ZnS, ich niektoré vlastnosti a aplikácie : Štátna výskumná úloha III-3-3/1 časť d. Dielčia správa za rok 1972
-
Vákuová tesnosť keramiky za vyšších teplôt : Záverečná zpráva výskumnej úlohy: 1964: 353/MTS-4, 1965: 14.04/g
-
Výskum katódového naprašovania, iónového plátovanie a iónového leptania vrstových štruktúr. Časť B: Vybrané metódy hodnotenia dielektrických vrstiev v rozhraní v MIS štruktúrach : Etapová správa o riešení čiastkovej úlohy III-4-3/1 štátného plánu základného výskumu
-
Metódy, procesy a štruktúry mikroelektroniky a molekulárnej elektroniky : Správa o plnení úloh a cieľov hlavnej úlohy štátného plánu základného výskumu III-7-2
-
Výskum prípravy tenkovrstvových štruktúr katódovým rozprašovaním a vákuovým naparovaním. Časť C/ Pasivácia polovodičových štruktúr : Dielčia správa. Štátna výskumná úloha III-3-5/1
-
Využitie LEED a AUGER spektroskopie v ultravákuu na výskum meteriálov a procesov : Štátna výskumná úloha III-3-3/2-časť b. Dielčia správa za rok 1972
-
Naparovanie tenkých vrstiev GaAs v ultravýkuu : Dielčia etapová správa štátnej výskumnej úlohy III-3-3 (1, časť b)