Ähnliche Einträge: Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
- Príprava a charakterizácia NiO/Ga2O3 heteroštruktúr pre realizáciu UV fotodiód
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Využitie elektrochemických metód na štúdium nových materiálov pre pokročilé technológie a procesy
- Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním
Thema: GaN
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch
- Aplikácia metódy Monte Carlo v rastrovacej elektrónovej mikroskopii GaN štruktúr : dát. obhaj. 20.3.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Návrh zdroja na budenie GaN tranzistorov
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze GaN
Thema: heteroštruktúra
- Technological Processes and their Optimization for High Performance Achievement of Silicon Crystalline Solar Cell Structures : Dát. obhaj.: 11.3.2015
- Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory
- Príprava a charakterizácia NiO/Ga2O3 heteroštruktúr pre realizáciu UV fotodiód