Kováč, U., Reid, D., Millar, C., Roy, G., Roy, S., & Asenov, A. Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 nm Channel Length MOSFET.
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Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)
Kováč, Urban, Dave Reid, Campbell Millar, Gareth Roy, Scott Roy, und Asen Asenov. Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 Nm Channel Length MOSFET.
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MLA-Zitierstil (9. Ausg.)
Kováč, Urban, et al. Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 Nm Channel Length MOSFET.
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