Kováč, U., Reid, D., Millar, C., Roy, G., Roy, S., & Asenov, A. Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 nm Channel Length MOSFET.
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Citazione stile Chigago Style (17a edizione)
Kováč, Urban, Dave Reid, Campbell Millar, Gareth Roy, Scott Roy, e Asen Asenov. Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 Nm Channel Length MOSFET.
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Citatione MLA (9a ed.)
Kováč, Urban, et al. Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 Nm Channel Length MOSFET.
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