Analýza vybraných elektrických vlastností vertikálného Trench MOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | , |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2006
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Analýza vybraných elektrických vlastností vertikálného Trench MOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností a energetickej odolnosti Trench MOS tranzistora
- Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Meranie a vyhodnocovanie vybraných elektrofyzikálných vlastností výkonových trench MOS tranzistorov
- Návrh P-kanálového Double RESURF LDMOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie
- Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora