Analýza vybraných elektrických vlastností vertikálného Trench MOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie

Salvato in:

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Kurucz, Endre (Autore)
Altri autori:	Donoval, Daniel, 1953- (Relatore della tesi), Vrbický, Andrej, 1979- (Relatore della tesi)
Natura:	Manoscritto Libro
Lingua:	slovacco
Pubblicazione:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2006
Soggetti:	elektronika
Tags:	Aggiungi Tag Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stu138541
005	20160719165028.8
008	070305s2006------------------------slo-d
040			\|a STU \|b slo
041	0		\|a slo
100	1		\|a Kurucz, Endre \|4 aut
245	1		\|a Analýza vybraných elektrických vlastností vertikálného Trench MOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave FEI, \|c 2006
300			\|a 57 s
650		7	\|a elektronika \|2 stusub
700	1		\|a Donoval, Daniel, \|d 1953- \|4 ths \|u E030 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 2039 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000002039
700	1		\|a Vrbický, Andrej, \|d 1979- \|4 ths \|u E210 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Katedra mikroelektroniky \|X 4826 \|U E210 \|Y 68 \|7 A000004826