Analýza prúdovo-napäťových charakteristík štruktúr MOS s tenkými dielektrickýcmi vrstvami s vysokou dielektrickou konštatantou
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | , |
| Format: | Manuskript Buch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Analýza prúdovo-napäťových charakteristík štruktúr MOS s tenkými dielektrickýcmi vrstvami s vysokou dielektrickou konštatantou
- Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN : č.ved.odb.: 26-13-9, dát. obhaj. 1.2.2010
- Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
- Dielectric materials, measurements and applications : Seveth international conference. University of Bath, UK. 23.- 26. Sep. 1996
- Charakterizácia elektrických vlastností štruktúr MOS s tenkými dielektrickými vrstvami s vysokou dielektrickou konštantou
- Elektrický prieraz polyetylénovej vrstvovej izolácie v kvapalnom dusíku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-01-9 : Obh. 20.10.1983 /
- Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry