Analýza prúdovo-napäťových charakteristík štruktúr MOS s tenkými dielektrickýcmi vrstvami s vysokou dielektrickou konštatantou

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Vernarský, Vladimír (Verfasst von)
Weitere Verfasser:	Ťapajna, Milan, 1977- (Betreuung Doktorarbeit), Harmatha, Ladislav, 1948- (Betreuung Doktorarbeit)
Format:	Manuskript Buch
Veröffentlicht:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2007
Schlagworte:	Mikroelektronika MOS štruktúry tenké vrstvy meranie dielektrických veličín
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stu142727
005	20160719165032.0
008	070627s2007----------------------------d
040			\|a STU \|b slo
041	0
100	1		\|a Vernarský, Vladimír \|4 aut
245	1		\|a Analýza prúdovo-napäťových charakteristík štruktúr MOS s tenkými dielektrickýcmi vrstvami s vysokou dielektrickou konštatantou
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave FEI, \|c 2007
300			\|a 42 s
650		7	\|a Mikroelektronika \|2 stusub
650		7	\|a MOS štruktúry \|2 stusub
650		7	\|a tenké vrstvy \|2 stusub
650		7	\|a meranie dielektrických veličín \|2 stusub
700	1		\|a Ťapajna, Milan, \|d 1977- \|4 ths \|u E210 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Katedra mikroelektroniky \|X 47721 \|U E210 \|Y 68 \|7 47721
700	1		\|a Harmatha, Ladislav, \|d 1948- \|4 ths \|u E030 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 2055 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000002055