Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN : č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Stoklas, Roman (Verfasst von)
Weitere Verfasser: Gregušová, Dagmar (Betreuung Doktorarbeit)
Format: Manuskript Buch
Sprache:Slowakisch
Veröffentlicht: Bratislava : Elektrotechnický ústav SAV, 2008
Schlagworte:
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu173019
005 20241031140354.1
008 081016s2008------------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
100 1 |a Stoklas, Roman  |4 aut 
245 1 |a Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN :  |b č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008 
260 |a Bratislava :  |b Elektrotechnický ústav SAV,  |c 2008 
300 |a 114 s 
650 7 |a elektronika  |2 stusub 
650 7 |a Mikroelektronika  |2 stusub 
700 1 |a Gregušová, Dagmar  |4 ths 
996 |b 284ED01203  |c E*ZP-67  |l EE01  |s A  |a 24  |w stu173019_0001