Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN : č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008

Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Autore principale: Stoklas, Roman (Autore)
Altri autori: Gregušová, Dagmar (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: Bratislava : Elektrotechnický ústav SAV, 2008
Soggetti:
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu173019
005 20241031140354.1
008 081016s2008------------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
100 1 |a Stoklas, Roman  |4 aut 
245 1 |a Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN :  |b č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008 
260 |a Bratislava :  |b Elektrotechnický ústav SAV,  |c 2008 
300 |a 114 s 
650 7 |a elektronika  |2 stusub 
650 7 |a Mikroelektronika  |2 stusub 
700 1 |a Gregušová, Dagmar  |4 ths 
996 |b 284ED01203  |c E*ZP-67  |l EE01  |s A  |a 24  |w stu173019_0001