Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
Enregistré dans:
| Auteurs principaux: | , |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2008
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- 2-rozmerná simulácia elektrických vlastností bipolárného tranzistora
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností a energetickej odolnosti Trench MOS tranzistora
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia NPN bipolárného tranzistora
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou