Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Šimeg, Milan (Verfasst von), Donoval, Daniel, 1953- (Verfasst von)
Weitere Verfasser: Chvála, Aleš, 1981- (Betreuung Doktorarbeit)
Format: Manuskript Buch
Sprache:Slowakisch
Veröffentlicht: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2008
Schlagworte:
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu179606
005 20150617230045.1
008 090210s2008------------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
100 1 |a Šimeg, Milan  |4 aut 
245 1 |a Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2008 
300 |a 60 s 
650 7 |a elektronika  |2 stusub 
650 7 |a Mikroelektronika  |2 stusub 
700 1 |a Chvála, Aleš,  |d 1981-  |4 ths  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 10315  |U E030  |Y 549  |7 A000010315 
700 1 |a Donoval, Daniel,  |d 1953-  |4 aut  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 2039  |U E030  |Y 549  |7 A000002039