Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2008
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN
- Návrh modelu a počítačová simulácia elektrických vlastností InAlN/GaN HEMT