Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2008
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu179784 | ||
| 005 | 20160719165123.8 | ||
| 008 | 090211s2008------------------------slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 100 | 1 | |a Florek, Kristián |4 aut | |
| 245 | 1 | |a Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN | |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2008 | ||
| 300 | |a 55 s | ||
| 650 | 7 | |a elektronika |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a Mikroelektronika |2 stusub | |
| 700 | 1 | |a Racko, Juraj, |d 1953- |4 ths |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 4226 |U E030 |Y 549 |7 A000004226 | |