Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Florek, Kristián (Verfasst von)
Weitere Verfasser: Racko, Juraj, 1953- (Betreuung Doktorarbeit)
Format: Manuskript Buch
Sprache:Slowakisch
Veröffentlicht: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2008
Schlagworte:
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu179784
005 20160719165123.8
008 090211s2008------------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
100 1 |a Florek, Kristián  |4 aut 
245 1 |a Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2008 
300 |a 55 s 
650 7 |a elektronika  |2 stusub 
650 7 |a Mikroelektronika  |2 stusub 
700 1 |a Racko, Juraj,  |d 1953-  |4 ths  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 4226  |U E030  |Y 549  |7 A000004226