Meranie teplotných závislostí rezistivity tenkých vrstiev Ru-SiO pre pokročilú CMOS technológiu
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | , |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2008
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Meranie teplotných závislostí rezistivity tenkých vrstiev Ru-SiO pre pokročilú CMOS technológiu
- Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Diagnostika štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry
- Charakterizácia elektrofyzikálnych procesov v štruktúrach MOS pre pokročilú CMOS technológiu : dát. obhaj. 26.6.2007, čís. ved. odb. 26-13-9
- Návrh napäťového regulátora s prúdovou ochranou v technológii CMOS
- Návrh napäťového regulátora s nízkym úbytkom napätia v technológii CMOS