Diagnostika štruktúr MOS vodivostnou metódou
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2010
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | VAIS |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Diagnostika štruktúr MOS vodivostnou metódou
- Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Analýza vplyvu tepelného spracovania Si MOS štruktúr s veľkou permitivitou oxidu
- Radiačná odolnosť MOS štruktúr ožiarených 130MeV ťažkými iónmi Xe
- Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou