Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2010
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | VAIS |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu209130 | ||
| 005 | 20150617230102.1 | ||
| 008 | 100818s2010------------------------slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 100 | 1 | |a Molnár, Marián, |d 1986- |4 aut |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 28600 |U E030 |Y 549 |7 A000028600 | |
| 242 | 0 | 0 | |a SIMULATION OF SELECTED ELECTRIC PROPERTIES OF HEMT BASED ON GAN-ALXGA1-XN HETEROSTRUCTURES. |y eng |
| 245 | 1 | |a Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN. | |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2010 | ||
| 300 | |a 56 s | ||
| 650 | 7 | |a Mikroelektronika |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a elektronika |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a heteroštruktúry |2 stusub | |
| 700 | 1 | |a Racko, Juraj, |d 1953- |4 ths |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 4226 |U E030 |Y 549 |7 A000004226 | |
| 856 | 4 | |a info a plný text |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=61390 |3 VAIS | |