Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Molnár, Marián, 1986- (Verfasst von)
Weitere Verfasser:	Racko, Juraj, 1953- (Betreuung Doktorarbeit)
Format:	Manuskript Buch
Sprache:	Slowakisch
Veröffentlicht:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2010
Schlagworte:	Mikroelektronika elektronika heteroštruktúry
Online-Zugang:	VAIS
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stu209130
005	20150617230102.1
008	100818s2010------------------------slo-d
040			\|a STU \|b slo
041	0		\|a slo
100	1		\|a Molnár, Marián, \|d 1986- \|4 aut \|u E030 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 28600 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000028600
242	0	0	\|a SIMULATION OF SELECTED ELECTRIC PROPERTIES OF HEMT BASED ON GAN-ALXGA1-XN HETEROSTRUCTURES. \|y eng
245	1		\|a Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave FEI, \|c 2010
300			\|a 56 s
650		7	\|a Mikroelektronika \|2 stusub
650		7	\|a elektronika \|2 stusub
650		7	\|a heteroštruktúry \|2 stusub
700	1		\|a Racko, Juraj, \|d 1953- \|4 ths \|u E030 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 4226 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000004226
856	4		\|a info a plný text \|u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=61390 \|3 VAIS