Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | VAIS |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Návrh modelu a počítačová simulácia elektrických vlastností InAlN/GaN HEMT
- Diagnostika šumových vlastností tranzistorov GaN HEMT : dát. obhaj. 27.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN