Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2011
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | VAIS |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností a energetickej odolnosti Trench MOS tranzistora
- Diagnostika štruktúr MOS vodivostnou metódou
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN : dát. obhaj. 23.9.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Simulácia a modelovanie elektrických vlastností MOS tranzistora zabudovaného do DPS
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku