Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Mészáros, Bálint, 1986- (Verfasst von)
Weitere Verfasser:	Marek, Juraj, 1983- (Betreuung Doktorarbeit)
Format:	Manuskript Buch
Sprache:	Slowakisch
Veröffentlicht:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2011
Schlagworte:	Mikroelektronika Microelectronics MOS
Online-Zugang:	VAIS
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stu230508
005	20150617230141.5
008	110709s2011----xo------------------slo-d
040			\|a STU \|b slo
041	0		\|a slo
044			\|a xo
100	1		\|a Mészáros, Bálint, \|d 1986- \|4 aut \|u E \|T FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|X 28598 \|U E \|Y 30 \|7 A000028598
242	0	0	\|a Computer simulation power MOSFET transistor with "DeepTrench" technology \|y eng
245	1		\|a Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave FEI, \|c 2011
300			\|a 65 s
650		7	\|a Mikroelektronika \|2 stusub
650		7	\|a Microelectronics \|2 estusub
650		7	\|a MOS \|2 stusub
700	1		\|a Marek, Juraj, \|d 1983- \|4 ths \|u E030 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 24483 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000024483
856	4		\|a info a plný text \|u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=71671 \|3 VAIS
996			\|b 284EP09966 \|c E*DIPL-9966 \|l EE33 \|s P \|a 0 \|w stu230508_0001