Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2013
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | VAIS |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie :
- AlGaN/Gan Hemt pre senzorické aplikácie : Dát. obhaj. 24.2.2010, č. ved. odb. 5.2.13
- Návrh vysokotlakových senzorov na báze AlGaN/GaN HEMT snímacích štruktúr : dát. obhaj. 20.8.0215, č. ved. odb. 5-2-13
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Modelovanie robustného senzora tlaku na báze progresívnych polovodičových materiálov
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín