Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Vallo, Martin, 1984- (Verfasst von)
Format: Manuskript Buch
Sprache:Slowakisch
Veröffentlicht: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2013
Schlagworte:
Online-Zugang:VAIS
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu267328
005 20150617225718.9
008 130601s2013----xo------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Vallo, Martin,  |d 1984-  |4 aut  |u E  |T FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |X 12541  |U E  |Y 30  |7 A000012541 
242 0 0 |a Robust pressure sensors based on AlGaN/GaN HEMT for high temperature applications  |y eng 
245 1 |a Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie :  |b dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2013 
300 |a 126 s  |c AUTOREF. 2013, 42 s. 
650 7 |a Mikroelektronika  |2 stusub 
650 7 |a Microelectronics  |2 estusub 
650 7 |a AlGaN/GaN  |2 stusub 
856 4 |a info a plný text  |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=73045  |3 VAIS 
996 |b 284ED01413  |c E*ZP-277  |l EE01  |s A  |a 24  |w stu267328_0001