Parametre porúch v polovodičových štruktúrach
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2013
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | VAIS |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Parametre porúch v polovodičových štruktúrach
- Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
- Identifikácia porúch v moderných polovodičových štruktúrach pre výkonové aplikácie
- Štúdium zvyšovania húževnatosti nitridovej keramiky vnášaním častíc do matrice
- Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
- Skúmanie defektov v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Vplyv parametrov prípravy na vybrané vlastnosti kompozitného systému Si3N4+SiC