Parametre porúch v polovodičových štruktúrach

Guardado en:
Autor principal: Kósa, Arpád, 1987- (Autor)
Otros Autores: Stuchlíková, Ľubica, 1967- (Orientador)
Formato: Manuscrito Libro
Lenguaje:eslovaco
Publicado: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2013
Materias:
Mikroelektronika
Microelectronics
silicon carbide
karbid kremíka
Acceso en línea:VAIS
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu270384
005 20150617230231.2
008 130709s2013----xo------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Kósa, Arpád,  |d 1987-  |4 aut  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 50249  |U E030  |Y 549  |7 A000050249 
242 0 0 |a Deep energy level parameters in semiconductor structures  |y eng 
245 1 |a Parametre porúch v polovodičových štruktúrach 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2013 
300 |a 62 s  |c CD-ROOM 
650 7 |a Mikroelektronika  |2 stusub 
650 7 |a Microelectronics  |2 estusub 
650 7 |a silicon carbide  |2 estusub 
650 7 |a karbid kremíka  |2 stusub 
700 1 |a Stuchlíková, Ľubica,  |d 1967-  |4 ths  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 1997  |U E030  |Y 549  |7 A000001997 
856 4 |a info a plný text  |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=92429  |3 VAIS 
996 |b 284EP10433  |c E*DIPL-10433  |l EE33  |s P  |a 0  |w stu270384_0001 

Ejemplares similares