Skúmanie vlastností polovodičových štruktúr na báze GaN metódou DLTS
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2014
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | VAIS |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Skúmanie vlastností polovodičových štruktúr na báze GaN metódou DLTS
- Skúmanie vlastností polovodičových štruktúr metódou DLTS
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze GaN
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Skúmanie elektrofyzikálnych vlastností polovodičových progresívnych prvkov na báze GaN : dátum obhajoby 28.8.2025
- Svetlom podporované chemické leptane polovodičových štruktúr na báze AIGaN/GaN