Skúmanie vlastností polovodičových štruktúr na báze GaN metódou DLTS

Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Autore principale: Matuška, Michal, 1989- (Autore)
Altri autori: Stuchlíková, Ľubica, 1967- (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2014
Soggetti:
Accesso online:VAIS
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu294327
005 20150617230320.0
008 140717s2014----xo------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Matuška, Michal,  |d 1989-  |4 aut  |u E  |T FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |X 8519  |U E  |Y 30  |7 A000008519 
242 0 0 |a Investigation of semiconductor structures based on GaN   |y eng 
245 1 |a Skúmanie vlastností polovodičových štruktúr na báze GaN metódou DLTS 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2014 
300 |a 51 s  |c CD-ROM 
650 7 |a Automobile Electronics  |2 estusub 
700 1 |a Stuchlíková, Ľubica,  |d 1967-  |4 ths  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 1997  |U E030  |Y 549  |7 A000001997 
856 4 |a info a plný text  |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=88338  |3 VAIS 
996 |b 284ER01544  |c E*Bc-1544  |l EE33  |s P  |a 0  |w stu294327_0001