Modelovanie kvantovomechanických procesov v degenerovaných polovodičových štruktúrach = Numerical simulation of electrical characteristics of high dopping level semiconductor devices : Dipl.práca

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Seifert, Ivan (Verfasst von)
Weitere Verfasser: Racko, Juraj, 1953- (Betreuung Doktorarbeit), Drobný, Vladimír (Betreuung Doktorarbeit)
Format: Manuskript Buch
Sprache:Slowakisch
Veröffentlicht: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 1999
Schlagworte:
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu52734
005 20160719164855.0
008 000322s1999----xo------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Seifert, Ivan  |4 aut 
245 1 |a Modelovanie kvantovomechanických procesov v degenerovaných polovodičových štruktúrach = Numerical simulation of electrical characteristics of high dopping level semiconductor devices :  |b Dipl.práca 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 1999 
300 |a 52 s 
650 7 |a elektronika  |2 stusub 
700 1 |a Racko, Juraj,  |d 1953-  |4 ths  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 4226  |U E030  |Y 549  |7 A000004226 
700 1 |a Drobný, Vladimír  |4 ths