Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | English |
| Published: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2000
|
| Subjects: | |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti :
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Physical properties of III-V semiconductor compounds : InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and INGaAsP /
- Príprava GaAs/InGaP kvantových drôtov MOVPE rastom na tvarovaných podložkách : V. odb. 26-13-9. Obh. 01.03.2001
- Electronic states and optical transitions in semiconductor heterostructures
- Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs : Obh. 15.06.2006
- Fabrication of GaAs Devices