Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
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| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | anglais |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2000
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| Description matérielle: | 107 s |
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