Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúry MOS ožiarenej vysokoenergetickými iónmi
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2002
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúry MOS ožiarenej vysokoenergetickými iónmi
- Skúmanie vlastností štruktúry MOS s nehomogénnym substrátom ožiarenej ťažkými vysokoenergetickýcmi iónmi
- Aktivácia konštrukčných materiálov urýchľovača vysokoenergetickými ťažkými iónmi
- Radiačná odolnosť MOS štruktúr ožiarených 130MeV ťažkými iónmi Xe
- Elektrofyzikálne vlastnosti štruktúr MOS s implantovaným substrátom : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 14.04.1992 /
- Vplyv ťažkých iónov Kr na vlastnosti štruktúry MOS so substrátom dotovaným dusíkom
- Štúdium vlastností rozhrania izolant-polovodič štruktúr MOS