Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 /
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
1996
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} :
- Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.09.1983 /
- Optoelektronické prvky na báze polovodičových heteroštruktúr InGaAs(P)/InP : Habil.práca : Obh. 12.12.1995 /
- Properties of indium phosphide
- Properties of III - V quantum wells and superlattices
- Základní procesy růstu monokrystalů pro optoelektroniku
- Properties of gallium arsenide