Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 /
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
1996
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu9372 | ||
| 005 | 20160719164956.7 | ||
| 008 | 970116s1996----------------------------d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | ||
| 080 | |a 538.97 |7 stu_us_auth*stu8133 | ||
| 080 | |a 539.23 | ||
| 080 | |a 621.315.592 | ||
| 084 | |a A6848 |2 INS | ||
| 084 | |a A7320 |2 INS |7 stu_us_auth*stu6105 | ||
| 084 | |a A7340 |2 INS | ||
| 084 | |a A6855 |2 INS | ||
| 084 | |a A6860 |2 INS | ||
| 084 | |a B0510D |2 INS | ||
| 100 | 1 | |a Kečkéš, Jozef |4 aut | |
| 245 | 1 | |a Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : |b Diz.práca : Obh. 03.07.1996 / |c [aut.] Kečkéš,Jozef, Ing.; Škol. Červeň,Ivan | |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 1996 | ||
| 300 | |a 81 s |c Autoref.1996, 23 s | ||
| 650 | 7 | |a tepelná degradácia |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a fyzika tuhých látok |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a fyzika polovodičov |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a polovodičové štruktúry |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a epitaxiálny rast |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a tenké vrstvy |2 stusub | |
| 650 | 7 | |a fyzika rozhraní |2 stusub | |
| 700 | 1 | |a Červeň, Ivan, |d 1933- |4 ths |u E150 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Katedra fyziky |X 4393 |U E150 |Y 62 |7 A000004393 | |
| 996 | |b 284ED00399 |c E*PGŠ-744 |l EE01 |s A |a 24 |w stu9372_0001 | ||