Návrh zosilňovača triedy D s GaN HEMT tranzistormi
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2025
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildKEF1KH&sid=8D80AD18777FCC7F6CB2BD4DC29E&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Návrh zosilňovača triedy D s GaN HEMT tranzistormi
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Návrh DC-DC meniča s GaN HEMT
- Nízkofrekvenčný výkonový zosilňovač v triede D 57 s., príl.,