Návrh zosilňovača triedy D s GaN HEMT tranzistormi
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2025
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildKEF1KH&sid=8D80AD18777FCC7F6CB2BD4DC29E&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Návrh zosilňovača triedy D s GaN HEMT tranzistormi
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Návrh DC-DC meniča s GaN HEMT
- Nízkofrekvenčný výkonový zosilňovač v triede D 57 s., príl.,