Návrh zosilňovača triedy D s GaN HEMT tranzistormi

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Trúchly, Michal (Verfasst von)
Weitere Verfasser: Marek, Juraj (Betreuung Doktorarbeit)
Format: Manuskript Buch
Sprache:Slowakisch
Veröffentlicht: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2025
Schlagworte:
Online-Zugang:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildKEF1KH&sid=8D80AD18777FCC7F6CB2BD4DC29E&seo=CRZP-detail-kniha
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