Analýza detektorov ionizujúceho žiarenia na báze polovodičových zlúčenín

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autor principal: Zueva, Valeriia (Autor)
Otros Autores: Zaťko, Bohumír (Orientador)
Formato: Manuscrito Libro
Lenguaje:eslovaco
Publicado: 2025
Materias:
Acceso en línea:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=184586
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp103701
003 SK-STU
005 20250614212141.0
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
100 1 |a Zueva, Valeriia  |u 036000  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav jadrového a fyzikálneho inžinierstva  |X 128054  |U E060  |Y 817  |7 128054 
242 0 1 |a Analysis of ionizing radiation detectors based on semiconductor compounds  |y eng 
245 1 0 |a Analýza detektorov ionizujúceho žiarenia na báze polovodičových zlúčenín 
260 |c 2025 
650 4 |a epitaxial layer  |2 eng 
650 4 |a gamma radiation  |2 eng 
650 4 |a C–V measurements  |2 eng 
650 4 |a I–V characteristics  |2 eng 
650 4 |a Schottky barrier  |2 eng 
650 4 |a cadmium telluride (CdTe)  |2 eng 
650 4 |a silicon carbide (4H-SiC)  |2 eng 
650 4 |a ionizing radiation  |2 eng 
650 4 |a semiconductor detectors  |2 eng 
650 4 |a detekčná účinnosť  |2 slo 
650 4 |a energetické rozlíšenie  |2 slo 
650 4 |a alfa žiarenie (α)  |2 slo 
650 4 |a gama žiarenie (γ)  |2 slo 
650 4 |a kadmium telurid (CdTe)  |2 slo 
650 4 |a karbid kremíka (4H-SiC)  |2 slo 
650 4 |a ionizujúce žiarenie  |2 slo 
650 4 |a polovodičové detektory  |2 slo 
650 4 |a spektrometria  |2 slo 
650 4 |a elektrické charakteristiky (I-V, C-V)  |2 slo 
650 4 |a p-n prechod  |2 slo 
650 4 |a Schottkyho bariéra  |2 slo 
700 1 |a Zaťko, Bohumír  |4 ths  |X 47715  |7 47715 
856 4 |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=184586