Návrh vysokotlakových senzorov na báze AlGaN/GaN HEMT snímacích štruktúr : dát. obhaj. 20.8.0215, č. ved. odb. 5-2-13
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco inglês |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2015
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=94436 |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Návrh vysokotlakových senzorov na báze AlGaN/GaN HEMT snímacích štruktúr :
- Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- AlGaN/Gan Hemt pre senzorické aplikácie : Dát. obhaj. 24.2.2010, č. ved. odb. 5.2.13
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Modelovanie robustného senzora tlaku na báze progresívnych polovodičových materiálov
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín