Návrh vysokotlakových senzorov na báze AlGaN/GaN HEMT snímacích štruktúr : dát. obhaj. 20.8.0215, č. ved. odb. 5-2-13
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco inglés |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2015
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=94436 |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stuzp29499 | ||
| 003 | SK-STU | ||
| 005 | 20230413094837.7 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a eng | |
| 100 | 1 | |a Dzuba, Jaroslav |u 033000 |4 aut |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 35971 |U E030 |Y 549 |7 A000035971 | |
| 242 | 0 | 1 | |a Návrh vysokotlakových senzorov na báze AlGaN/GaN HEMT snímacích štruktúr |y slo |
| 245 | 1 | 0 | |a Návrh vysokotlakových senzorov na báze AlGaN/GaN HEMT snímacích štruktúr : |b dát. obhaj. 20.8.0215, č. ved. odb. 5-2-13 |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2015 | ||
| 300 | |a 132 s., príl., |b AUTOREF. 2015, 25 s. | ||
| 650 | 4 | |a MEMS |2 slo | |
| 650 | 4 | |a tlakový senzor |2 slo | |
| 650 | 4 | |a AlGaN/GaN |2 slo | |
| 650 | 4 | |a MEMS |2 eng | |
| 650 | 4 | |a pressure sensor |2 eng | |
| 650 | 4 | |a AlGaN/GaN |2 eng | |
| 700 | 1 | |a Vanko, Gabriel |r Z5 |4 ths | |
| 856 | 4 | |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=94436 | |
| 996 | |b 284ED01497 |c E*ZP-362 |l EE01 |s A |a 24 |w stuzp29499_0001 | ||
| SQL | |a stuzp29499 |b DDZ |c ENG |d Návrh vysokotlakových senzorov na báze AlGaN/GaN HEMT snímacích štruktúr |e 35971 |f Dzuba, Jaroslav |g 033000 |h 20007 |i Vanko, Gabriel |j 20150820 |k 99 |l 03 |m http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=94436 |n D-ME |o 5.2.13. elektronika | ||