Sledovanie emisných a záchytných procesov v InGaAsN/GaAs heteroštruktúrach
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=88332 |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stuzp43026 | ||
| 003 | SK-STU | ||
| 005 | 20160719153029.7 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 100 | 1 | |a Kubovič, Jakub |u 033000 |4 aut |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 8513 |U E030 |Y 549 |7 8513 | |
| 242 | 0 | 1 | |a The investigation of emission and capture processes in InGaAsN/GaAs heterostructures |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Sledovanie emisných a záchytných procesov v InGaAsN/GaAs heteroštruktúrach |
| 260 | |c 2015 | ||
| 300 | |a 42 s. |b CD-ROM | ||
| 650 | 4 | |a InGaAsN heteroštruktúry |2 slo | |
| 650 | 4 | |a DLTS |2 slo | |
| 650 | 4 | |a hlboké energetické hladiny |2 slo | |
| 650 | 4 | |a DLTS |2 eng | |
| 650 | 4 | |a deep energy levels |2 eng | |
| 650 | 4 | |a InGaAsN heterostructures |2 eng | |
| 700 | 1 | |a Stuchlíková, Ľubica |4 ths |X 1997 |7 A000001997 | |
| 856 | 4 | |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=88332 | |
| 996 | |b 284ER01795 |c E*Bc- 1795 |l EE33 |s P |a 0 |w stuzp43026_0001 | ||
| SQL | |a stuzp43026 |b DBP |c SLO |d Sledovanie emisných a záchytných procesov v InGaAsN/GaAs heteroštruktúrach |e 8513 |f Kubovič, Jakub |g 033000 |h 1997 |i Stuchlíková, Ľubica |j 20150706 |k 74 |l 03 |m http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=88332 |n B-AUE |o 5.2.13. elektronika | ||